mos管重要参数
一、最核心、必看参数
1. 漏源耐压
- 决定能承受多大母线电压
- 选型原则：≥ 2× 实际工作电压
- 例：220V 整流后 ≈311V
→ 至少选 600V、650V、700V 高压 MOS
2. 栅源耐压
- 一般 ±20V
- 超过就直接击穿炸管
- 驱动电压别超过 15V，最安全
3. 导通电阻
- 越小→发热越小、效率越高
- ICL 旁路要选尽量小，比如 <1Ω 甚至 mΩ 级
- 电阻大 = 功耗大 = 发烫
4. 连续漏极电流
- 能长期通过的电流
- ICL 电路按电源额定电流的 1.5~2 倍选
5. 开启阈值
- NMOS：G 比 S 高这么多才开始导通
- 一般 2~4V
- 要完全导通，VGS 至少给到 8~12V
二、开关、可靠性相关（重要）
6. 脉冲峰值电流
- 承受瞬间大电流（浪涌）
- ICL 上电瞬间电流大，这个参数必须够
7. / / / 开关时间
- 开通 / 关断延迟、上升 / 下降时间
- 开关越快损耗越小，但干扰越大
- ICL 这种低速旁路无所谓，不用纠结
8. 栅极总电荷
- 越小→驱动越容易、损耗越小
- 大功率 MOS 栅极电荷大，需要强驱动
9. 单脉冲雪崩能量
- 感性负载断电时的抗冲击能力
- 电源、继电器驱动里很重要
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